الرقاقة الجديدة الموجهة نحو مراكز الحوسبة السحابية والأجهزة المحمولة تحسن من كفاءة استعمال الطاقة وتزيد من أداء معالجة البيانات.
يُكرس قسم البحث والتطوير لدى شركة سامسونج هيمنتها على سوق أشباه الموصلات، واليوم توسع الشركة المسافة التي تفصلها عن باقي مُنافسيها مثل توشيبا عبر تمكنها من تطوير أصغر رقاقة ذاكرة وصول عشوائي ديناميكية DRAM في العالم.
هذا الإنجاز سوف يساعد العملاقة الكورية الجنوبية على تحقيق أرباح قياسية مع نهاية عام 2017، وتعتبر هذه الرقاقة الجيل الثاني من رقائق سامسونج، وهي مُصنعة وفق تقنية 10 نانومتر، وتعمل على توفر سعة 8 غيغابت.
وبالحديث عن المزايا فإن الرقاقة تساعد على تحسين كفاءة استعمال الطاقة بنسبة بين 10 و15 في المئة وتزيد من أداء معالجة البيانات بنسبة 30 في المئة، وهي موجهة نحو مراكز الحوسبة السحابية والأجهزة المحمولة وبطاقات الرسوميات عالية السرعة.
ووفقًا لتصريحات الشركة فإنها تنوي خلال عام 2018 التخلي عن طريقة تصنيع رقائق DRAM الحالية والاتجاه نحو إنتاج رقائق مُصنعة وفق تقنية 10 نانومتر، والتي توفر سرعات تصل إلى 3600 ميغابت في الثانية بالمقارنة مع 3200 ميغابت للجيل الأول من الرقائق.
Leave a Comment